ge的杂化方式怎么看原子

GeH4GeCl4熔点的大小是如何比较的？与GeH4GeCl4的熔点相比，后者较高。Ge是元素周期表中的第4族第4周期元素，形成的化合物发生Sp3混成，分子结构和组成类似。由于相对分子质量GeCl4大于GeH4，分子间作用力GeCl4大于GeH4，固体熔点GeCl4大于GeH4。

以非晶质半导体材料为主体的固体电子设备的混合。虽然非晶半导体的分子排列总体上是无序的，但它具有单晶的微观结构，并具有许多特殊的性能。1975年，英国的W。G. Spier成功掺杂了辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜，使非晶硅薄膜的电阻率发生了10位数的变化，促进了非晶硅半导体器件的开发和应用.与单晶材料相比，非晶半导体材料的制备工艺简单，对衬底结构没有特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化较大，可制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，用于计算器、电子手表等产品。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平板显示器的寻址开关。利用某些硫基非晶半导体材料的结构变化来记录和存储光电信息的设备已在计算机和控制系统中得到应用。利用非晶薄膜的电荷积蓄和光传导特性，可以制作用于静止图像的光电转换的静电复印机的感光体和动态图像的光电转换的电视摄像机管的目标面。具有半导体特性的无定形材料。非晶半导体是半导体的重要组成部分。20世纪50年代，B.T.。Kolomiez和他的同事们开始研究硫玻璃，但当时很少有人注意到，直到1968年，他们才开始研究硫玻璃。R.？shensky发表了使用硫磺膜的开关装置的专利，提高了对非晶半导体的关心。1975年，W. E. Spier等人对硅烷的辉光放电分解制成的非晶硅实现了掺杂效应，使其能够控制导电性和制造PN结，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。理论上，P.W.安德森和N. F. Mort建立了非晶半导体的电子理论，并于1977年获得诺贝尔物理学奖。无定形半导体的研究无论是理论上还是应用上都有着快速的发展。目前，非晶半导体有两大类。那是硫磺玻璃。含硫元素的非晶半导体。例如，As-Se和As-S是通过熔融冷却或蒸镀法制备的。四面体耦合非晶半导体。非晶Si、Ge、GaAs等材料的非晶不能用熔融冷却法得到，只使用薄膜堆积法（蒸发、喷射、辉光放电、化学蒸镀等），只要基板温度足够低，堆积的薄膜为非晶结构。四面体耦合非晶半导体材料的性能与其制造方法和工艺条件密切相关。图1采用不同方法制造的非晶硅的光吸收系数表示不同制造工艺的非晶硅的光吸收系数光谱，a、b制造工艺为硅辉光放电分解，基板温度分别为500K和300K，c制造工艺为喷射，d制造工艺为蒸发。非晶硅的导电性和光导性也与制造工艺密切相关。事实上，用硅烷辉光放电法制备的非晶硅中含有大量的H，有时也被称为非晶硅氢合金。不同的工艺条件，不同的氢含量会直接影响材料的性能。相比之下，硫基玻璃的性质与制备方法几乎没有关系。图2显示了气相沉积溅射膜和熔融淬火块AsSeTe的光吸收系数光谱，采用熔融冷却和溅射制备的AsSeTe样品的光吸收系数光谱显示了相同的曲线。非晶半导体的电子结构非晶具有与晶体半导体相同的基本带结构，也有传导带、价带、带间隙（参照固体带）材料的基本带状结构很大程度上取决于原子附近的状态，可以用化学键模型定性地解释。以四面体结合非晶Ge和Si为例，Ge和Si中的4个价电子通过sp混成在邻近原子的价电子间形成共价键，其结合状态与价电子带相对应。反结合状态对应导带。无论是Ge、Si、晶质还是非晶质，基本的键合方法都是相同的，但在非晶体中，键合角和键长度都有一定程度的扭曲，所以基本的带结构是相似的。然而，非晶半导体的电子态与晶体态有很大的不同。晶体半导体的结构是周期有序的，或平移对称的，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称相关的量子数，非晶半导体是没有周期性的，不再是好的量子数。电子在晶体半导体中的运动相对自由，电子运动的平均自由距离远大于原子间的距离。非晶半导体结构缺陷的畸变大大减少了电子的平均自由路径，当平均自由路径接近原子间距离的顺序时，晶体半导体中确立的电子漂移运动的概念就失去了意义。非晶半导体的带边状态密度的变化并不像晶体状态那样剧烈，具有不同程度的带尾（表示图3的非晶半导体的状态密度和能量的关系）的非晶半导体的带内的电子状态分为2类。一个称为扩展状态，另一个称为局部状态。每个处于膨胀状态的电子在整个固体中是常见的，并且可以在整个固体的尺度上找到。在外场中，它们像晶体中的电子一样运动，局部状态下的每个电子基本上都被限制在一个特定的区域内，其状态波函数仅在某个特定点周围的小尺度上为零，这需要在声子的帮助下进行跳跃导电。在波段中，波段的中心部分是扩张状态，波段的尾部被划分为局部状态，它们之间有一个边界，如图4中非晶半导体的扩张状态、局部状态和迁移率边缘的总和，这个边界称为迁移率边缘。Mort在1960年首次提出了移动边缘的概念。如果将迁移率视为电子态能量的函数，莫特认为边界上存在迁移率的突变。局部状态的电子是跳跃导电性，由于依存于与格子振动的能量交换，从某局部状态跳跃到其他局部状态，因此温度接近0K时，局部状态的电子移动度为零。扩张状态的电子传导与晶体中的电子相同，接近0K时移动度有有限的倾向。莫特进一步认为，移动度边缘对应于电子的平均自由路径接近原子间距离的情况，将这种情况下的导电率定义为最小金属化导电率。然而，关于移动度边缘和最小金属化电导率的讨论仍在继续。缺陷非晶半导体与晶体半导体相比有更多的缺陷。这些缺陷在带隙中引入了一系列局部能级，这对非晶半导体的电和光学性能有重要影响。四面体耦合的非晶半导体和硫玻璃在非晶半导体缺陷方面存在着显著差异。非晶硅的缺陷主要是孔隙和微腔。在硅原子的外面有四个价电子，通常与四个相邻的硅原子形成四个共价键。空隙和微小空隙的存在，在几个硅原子周围4个附近原子不足，生成具有中性未结合电子的几个悬垂结合。悬挂键有两种充电状态：未结合的电子成为供体状态的正电荷中心。第二个受体电子成为负中心，即受体状态。这些能量水平处于带隙中，分别称为供体和受体。由于受体态表明悬架键上存在两个电子，因此两个电子之间的库仑排斥导致受体能级高于供体能级，称为正相关能量。因此，一般情况下，悬垂结合维持只有1个电子所占的中性状态，通过实验观测到了悬垂结合上的不成对电子的自旋共振。1975年，Spier等人首次使用硅烷辉光放电法实现了非晶硅的掺杂效应。这是因为，用该方法调制的非晶硅中含有很多氢，通过氢与悬垂结合，缺陷状态的数量大幅减少。这些缺陷同时也是有效的复合中心。为了延长非平衡载体的寿命，缺陷态密度也必须较低。因此，非晶硅的缺陷控制是材料制备中的关键问题之一。硫玻璃形状的缺陷，不是简单的悬挂钥匙，而是“价格换对”。当初，发现硫磺类玻璃与非晶硅不同，在缺陷状态下没有观察到电子的自旋共振，针对这种表面上的异常，Mott等人基于Anderson负相关能量的假设提出了MDS模型。当两个电子占据缺陷态时，晶格畸变发生，当畸变所减小的能量超过电子间库仑排斥能时，则呈现负相关能量，这意味着受体能级低于供体能级。D、D、D表示缺陷的非占用、1.二电子占用状态，负相关能量表示：2D ￣ D+D发热。因此，缺陷主要以D和D的形式存在，不存在未成对电子，因此不存在电子自旋共振。很多人都在分析D、D、D缺陷的结构。非晶硒有六个价电子，通常在链状结构中形成两个共价键，另外两个未结合的p电子称为孤立对电子。

ge原子混合GeH4GeCl4的熔点大小是多少？与GeH4GeCl4的熔点相比，后者较高。Ge是元素周期表中的第4族第4周期元素，形成的化合物发生Sp3混成，分子结构和组成类似。由于相对分子质量GeCl4大于GeH4，分子间作用力GeCl4大于GeH4，固体熔点GeCl4大于GeH4。